مدارهای مجتمع تراشه Ic نقطه ای XC7K160T-1FBG676I اصلی جدید

ویژگی های محصول

گزارش خطای اطلاعات محصول

مشاهده مشابه

اسناد و رسانه ها

طبقه بندی محیطی و صادراتی

مدار مجتمع

مدار مجتمع یا مدار مجتمع یکپارچه (همچنین به IC، تراشه یا ریزتراشه نیز گفته می‌شود) مجموعه‌ای ازمدارهای الکترونیکیروی یک قطعه کوچک مسطح (یا "تراشه") ازنیمه هادیمواد، معمولاسیلیکون.اعداد بزرگاز کوچکماسفت ها(فلز-اکسید-نیمه هادیترانزیستورهای اثر میدانی) در یک تراشه کوچک ادغام شود.این منجر به مدارهایی می شود که نسبت به مدارهایی که از گسسته ساخته شده اند، مرتباً کوچکتر، سریعتر و کم هزینه تر هستند.قطعات الکترونیکی.آی سی هاتولید انبوهقابلیت، قابلیت اطمینان، و رویکرد بلوک ساختمانی بهطراحی مدار مجتمعپذیرش سریع آی سی های استاندارد شده را به جای طرح هایی با استفاده از گسسته تضمین کرده استترانزیستورها.آی سی ها در حال حاضر تقریباً در تمام تجهیزات الکترونیکی استفاده می شوند و جهان را متحول کرده اندالکترونیک.کامپیوترها،تلفن های همراهو دیگرلوازم خانگیدر حال حاضر بخش های جدا نشدنی ساختار جوامع مدرن هستند که به دلیل اندازه کوچک و هزینه پایین آی سی هایی مانند مدرن امکان پذیر شده است.پردازنده های کامپیوترومیکروکنترلرها.

ادغام در مقیاس بسیار بزرگبا پیشرفت های تکنولوژیک عملی شدفلز-اکسید-سیلیکون(MOS)ساخت دستگاه نیمه هادی.از زمان پیدایش تراشه‌ها در دهه 1960، اندازه، سرعت و ظرفیت تراشه‌ها به‌دلیل پیشرفت‌های فنی که بیشتر و بیشتر ترانزیستورهای MOS را بر روی تراشه‌های هم‌اندازه جا می‌دهند، به‌شدت پیشرفت کرده‌اند - یک تراشه مدرن ممکن است دارای میلیاردها ترانزیستور MOS در مساحتی به اندازه ناخن انساناین پیشرفت ها، تقریباً به دنبالقانون مورتراشه های کامپیوتری امروزی میلیون ها برابر ظرفیت و هزاران برابر سرعت تراشه های کامپیوتری اوایل دهه 1970 دارند.

آی سی ها دو مزیت اصلی نسبت به آنها دارندمدارهای گسسته: هزینه و عملکردهزینه پایین است زیرا تراشه ها با تمام اجزای خود به صورت واحد چاپ می شوندفتولیتوگرافیبه جای اینکه یک ترانزیستور در یک زمان ساخته شود.علاوه بر این، آی سی های بسته بندی شده از مواد بسیار کمتری نسبت به مدارهای گسسته استفاده می کنند.عملکرد بالا است زیرا اجزای آی سی به دلیل اندازه کوچک و نزدیکی آنها به سرعت سوئیچ می شوند و انرژی نسبتا کمی مصرف می کنند.عیب اصلی آی سی ها هزینه بالای طراحی آنها و ساخت موارد مورد نیاز استماسک های عکس.این هزینه اولیه بالا به این معنی است که آی سی ها تنها زمانی از نظر تجاری قابل دوام هستندحجم تولید بالاپیش بینی می شوند.

واژه شناسی[ویرایش کنید]

یکمدار مجتمعبه عنوان ... تعریف شده است:^[1]

مداری که در آن تمام یا برخی از عناصر مدار به طور جدانشدنی به هم مرتبط هستند و از نظر الکتریکی به یکدیگر متصل هستند به طوری که برای اهداف ساخت و ساز و تجارت غیرقابل تقسیم در نظر گرفته می شود.

مدارهای مطابق با این تعریف را می توان با استفاده از بسیاری از فناوری های مختلف از جمله ساختترانزیستورهای لایه نازک،فناوری های لایه ضخیم، یامدارهای مجتمع هیبریدی.با این حال، در استفاده عمومیمدار مجتمعبه ساختار مدار تک تکه ای اشاره دارد که در ابتدا به عنوان a شناخته می شدمدار مجتمع یکپارچه، اغلب بر روی یک تکه سیلیکون ساخته می شود.^[2][3]

تاریخ

اولین تلاش برای ترکیب چندین جزء در یک دستگاه (مانند آی سی های مدرن) بودLoewe 3NFلوله خلاء از دهه 1920.بر خلاف آی سی ها، با هدف طراحی شده استاجتناب مالیاتیمانند آلمان، گیرنده های رادیویی مالیاتی داشتند که بسته به تعداد نگهدارنده لوله یک گیرنده رادیویی اخذ می شد.این امکان را به گیرنده های رادیویی می داد که یک نگهدارنده لوله واحد داشته باشند.

مفاهیم اولیه مدار مجتمع به سال 1949 باز می گردد، زمانی که مهندس آلمانیورنر ژاکوبی^[4](زیمنس AG)^[5]ثبت اختراع برای یک دستگاه تقویت کننده نیمه هادی مدار مجتمع^[6]نشان دادن پنجترانزیستورهاروی یک بستر مشترک در سه مرحلهتقویت کنندهترتیب.ژاکوبی کوچک و ارزان را فاش کردسمعکبه عنوان کاربردهای صنعتی معمولی پتنت او.استفاده تجاری فوری از پتنت او گزارش نشده است.

یکی دیگر از طرفداران اولیه این مفهوم بودجفری دامر(1909-2002)، دانشمند رادار که برایاستقرار رادار سلطنتیاز انگلیسی هاوزارت دفاع.دامر این ایده را در سمپوزیوم پیشرفت در قطعات الکترونیکی با کیفیت درایالت واشنگتندر 7 مه 1952.^[7]او سمپوزیوم های زیادی را به صورت عمومی برای تبلیغ ایده های خود برگزار کرد و تلاش ناموفقی برای ایجاد چنین مداری در سال 1956 انجام داد. بین سال های 1953 و 1957،سیدنی دارلینگتونو یاسو تارویی (آزمایشگاه الکتروتکنیک) طرح‌های تراشه‌های مشابهی را پیشنهاد کرد که در آن چندین ترانزیستور می‌توانستند یک منطقه فعال مشترک داشته باشند، اما وجود نداشتعایق الکتریکیتا آنها را از یکدیگر جدا کند.^[4]

تراشه مدار مجتمع یکپارچه با اختراعات فعال شدفرآیند مسطحتوسطژان هورنیوجداسازی اتصال p-nتوسطکرت لهووک.اختراع هوئرنی بر اساس آن ساخته شدمحمد م. عطلاکار بر روی غیرفعال سازی سطح، و همچنین کار فولر و دیتزنبرگر در مورد انتشار ناخالصی های بور و فسفر به سیلیکون،کارل فروشو کار لینکلن دریک در مورد حفاظت از سطح، وچیه تانگ ساهکار بر روی پوشش انتشار توسط اکسید.^[8]