STF13N80K5 Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
ویژگی های محصول
| اتحادیه اروپا RoHS | مطابق با معافیت |
| ECCN (ایالات متحده) | EAR99 |
| وضعیت قطعه | فعال |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| SVHC | آره |
| SVHC از آستانه فراتر رفت | آره |
| خودرو | No |
| PPAP | No |
| رده محصولات | ماسفت پاور |
| پیکربندی | تنها |
| فناوری فرآیند | SuperMESH |
| حالت کانال | تقویت |
| نوع کانال | N |
| تعداد عناصر در هر تراشه | 1 |
| حداکثر ولتاژ منبع تخلیه (V) | 800 |
| حداکثر ولتاژ منبع گیت (V) | 30± |
| حداکثر ولتاژ آستانه دروازه (V) | 5 |
| دمای محل اتصال عملیاتی (°C) | -55 تا 150 |
| حداکثر جریان تخلیه مداوم (A) | 12 |
| حداکثر جریان نشتی منبع دروازه (nA) | 10000 |
| حداکثر IDSS (uA) | 1 |
| حداکثر مقاومت منبع تخلیه (mOhm) | 450@10 ولت |
| شارژ گیت معمولی @ Vgs (nC) | 27@10 ولت |
| شارژ گیت معمولی @ 10 ولت (nC) | 27 |
| ظرفیت ورودی معمولی @ Vds (pF) | 870@100 ولت |
| حداکثر اتلاف توان (mW) | 35000 |
| زمان معمولی پاییز (ns) | 16 |
| زمان خیز معمولی (ns) | 16 |
| زمان تاخیر خاموش کردن معمولی (ns) | 42 |
| زمان تاخیر روشن کردن معمولی (ns) | 16 |
| حداقل دمای عملیاتی (°C) | -55 |
| حداکثر دمای عملیاتی (°C) | 150 |
| درجه حرارت تامین کننده | صنعتی |
| بسته بندی | لوله |
| حداکثر ولتاژ منبع دروازه مثبت (V) | 30 |
| حداکثر ولتاژ جلو دیود (V) | 1.5 |
| نصب | از طریق سوراخ |
| ارتفاع بسته | 16.4 (حداکثر) |
| عرض بسته | 4.6 (حداکثر) |
| طول بسته | 10.4 (حداکثر) |
| PCB تغییر کرد | 3 |
| Tab | Tab |
| نام بسته استاندارد | TO |
| بسته تامین کننده | TO-220FP |
| تعداد پین | 3 |
| شکل سرب | از طریق سوراخ |
معرفی
یک لوله اثر میدانی استدستگاه الکترونیکیبرای کنترل و تنظیم جریان در مدار الکترونیکی استفاده می شود.این یک تریود کوچک با بهره جریان بسیار بالا است.فت ها به طور گسترده در مدارهای الکترونیکی مانندتقویت کننده توان, مدار تقویت کنندهمدار فیلتر،مدار سوئیچینگو غیره
اصل لوله اثر میدان، اثر میدانی است، که یک پدیده الکتریکی است که به برخی از مواد نیمه هادی مانند سیلیکون اشاره دارد، پس از اعمال میدان الکتریکی اعمال شده، فعالیت الکترون های آن به طور قابل توجهی بهبود می یابد و در نتیجه رسانایی آن تغییر می کند. خواصبنابراین، اگر یک برقمیدان c بر روی سطح یک ماده نیمه هادی اعمال می شود، خواص رسانایی آن را می توان کنترل کرد تا به هدف تنظیم جریان برسد.
فت ها به دو دسته فت های نوع N و فت های نوع P تقسیم می شوند.Fet های نوع N از مواد نیمه هادی نوع N با رسانایی رو به جلو بالا و رسانایی معکوس کم ساخته شده اند.فت های نوع P از مواد نیمه هادی نوع P با رسانایی معکوس بالا و رسانایی رو به جلو کم ساخته شده اند.لوله اثر میدانی که از لوله اثر میدانی نوع N و لوله اثر میدانی نوع P تشکیل شده است می تواند کنترل جریان را انجام دهد.
ویژگی اصلی FET این است که دارای بهره جریان بالا می باشد که برای مدارهای فرکانس بالا و حساسیت بالا مناسب است و دارای ویژگی های نویز کم و نویز قطع کم می باشد.همچنین دارای مزایای مصرف انرژی کم، اتلاف حرارت کم، پایداری و قابلیت اطمینان است و یک عنصر کنترل جریان ایده آل است.
فت ها به روشی مشابه ترایودهای معمولی کار می کنند، اما با افزایش جریان بیشتر.مدار کار آن به طور کلی به سه قسمت منبع، تخلیه و کنترل تقسیم می شود.منبع و تخلیه مسیر جریان را تشکیل می دهند، در حالی که قطب کنترل جریان جریان را کنترل می کند.هنگامی که یک ولتاژ به قطب کنترل اعمال می شود، جریان جریان را می توان کنترل کرد تا به هدف تنظیم جریان برسد.
در کاربردهای عملی، Fet ها اغلب در مدارهای با فرکانس بالا، مانند تقویت کننده های قدرت، مدارهای فیلتر، مدارهای سوئیچینگ و غیره استفاده می شوند.در مدار فیلتر، لوله اثر میدان می تواند نویز موجود در مدار را فیلتر کند.در مدار سوئیچینگ، FET می تواند عملکرد سوئیچینگ را درک کند.
به طور کلی، Fet ها یک جزء الکترونیکی مهم هستند و به طور گسترده در مدارهای الکترونیکی استفاده می شوند.این دارای ویژگی های افزایش جریان بالا، مصرف برق کم، پایداری و قابلیت اطمینان است و یک عنصر کنترل جریان ایده آل است
