order_bg

محصولات

مدارهای مجتمع کامل قطعات الکترونیکی اصلی جدید IC Chip IRF3205STRLPBF

توضیح کوتاه:


جزئیات محصول

برچسب های محصول

ویژگی های محصول

تایپ کنید شرح
دسته بندی محصولات نیمه هادی گسسته

ترانزیستور - FET، ماسفت - تک

Mfr فن آوری های Infineon
سلسله HEXFET®
بسته نوار و حلقه (TR)

نوار برش (CT)

Digi-Reel®

وضعیت محصول فعال
نوع FET کانال N
فن آوری ماسفت (اکسید فلز)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) 55 V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد 110A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) 10 ولت
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 8 میلی اهم @ 62 آمپر، 10 ولت
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 4 ولت @ 250 µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs 146 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر) ± 20 ولت
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 3247 pF @ 25 V
ویژگی FET -
اتلاف نیرو (حداکثر) 200 وات (Tc)
دمای عملیاتی -55 درجه سانتی گراد ~ 175 درجه سانتی گراد (TJ)
نوع نصب نصب سطحی
بسته دستگاه تامین کننده D2PAK
بسته / مورد TO-263-3، D²Pak (2 سرنخ + برگه)، TO-263AB
شماره محصول پایه IRF3205

اسناد و رسانه ها

نوع منبع ارتباط دادن
برگه های اطلاعات IRF3205(S,L)PbF
سایر اسناد مرتبط سیستم شماره گذاری قطعات IR
ماژول های آموزشی محصول مدارهای مجتمع ولتاژ بالا (درایورهای گیت HVIC)
محصول ویژه سیستم های پردازش داده
صفحه داده HTML IRF3205(S,L)PbF
مدل های EDA IRF3205STRLPBF توسط SnapEDA

IRF3205STRLPBF توسط Ultra Librarian

مدل های شبیه سازی مدل سابر IRF3205SPBF

طبقه بندی محیطی و صادراتی

صفت شرح
وضعیت RoHS سازگار با ROHS3
سطح حساسیت به رطوبت (MSL) 1 (نامحدود)
وضعیت REACH REACH بدون تأثیر
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

منابع اضافی

صفت شرح
نامهای دیگر IRF3205STRLPBF-ND

SP001576758

IRF3205STRLPBFTR

IRF3205STRLPBFDKR

IRF3205STRLPBFCT

بسته استاندارد 800

ترانزیستور یک وسیله نیمه هادی است که معمولاً در تقویت کننده ها یا کلیدهای کنترل الکترونیکی استفاده می شود.ترانزیستورها بلوک های ساختمانی اساسی هستند که عملکرد رایانه ها، تلفن های همراه و سایر مدارهای الکترونیکی مدرن را تنظیم می کنند.

ترانزیستورها به دلیل سرعت پاسخگویی سریع و دقت بالا می توانند برای طیف گسترده ای از توابع دیجیتال و آنالوگ از جمله تقویت، سوئیچینگ، تنظیم کننده ولتاژ، مدولاسیون سیگنال و نوسان ساز استفاده شوند.ترانزیستورها را می توان به صورت جداگانه یا در یک منطقه بسیار کوچک بسته بندی کرد که بتواند 100 میلیون ترانزیستور یا بیشتر را به عنوان بخشی از یک مدار مجتمع در خود جای دهد.

در مقایسه با لوله الکترونی، ترانزیستور مزایای زیادی دارد:

کامپوننت مصرفی ندارد

مهم نیست که لوله چقدر خوب باشد، به دلیل تغییر در اتم های کاتد و نشت مزمن هوا، به تدریج خراب می شود.به دلایل فنی، ترانزیستورها در ابتدای ساخت همین مشکل را داشتند.با پیشرفت در مواد و بهبود در بسیاری از جنبه ها، ترانزیستورها معمولاً 100 تا 1000 برابر بیشتر از لوله های الکترونیکی عمر می کنند.

مصرف برق خیلی کم

این تنها یک دهم یا ده ها یک لوله الکترونی است.برای تولید الکترون های آزاد مانند لوله الکترونی نیازی به گرم کردن رشته نیست.یک رادیو ترانزیستوری تنها به چند باتری خشک برای گوش دادن به مدت شش ماه در سال نیاز دارد که انجام این کار برای رادیو لوله ای دشوار است.

نیازی به گرم کردن نیست

به محض اینکه آن را روشن کردید کار کنید.به عنوان مثال، رادیو ترانزیستوری به محض روشن شدن خاموش می شود و تلویزیون ترانزیستوری به محض روشن شدن تصویری را تنظیم می کند.تجهیزات لوله خلاء نمی توانند این کار را انجام دهند.پس از بوت، کمی صبر کنید تا صدا را بشنوید، تصویر را ببینید.واضح است که در نظامی، اندازه گیری، ضبط و غیره، ترانزیستورها بسیار سودمند هستند.

قوی و قابل اعتماد

100 برابر قابل اعتماد تر از لوله الکترون، مقاومت در برابر ضربه، مقاومت در برابر لرزش، که با لوله الکترونی قابل مقایسه نیست.علاوه بر این، اندازه ترانزیستور تنها یک دهم تا یک صدم اندازه لوله الکترونی است، انتشار حرارت بسیار کمی است، می توان برای طراحی مدارهای کوچک، پیچیده و قابل اعتماد استفاده کرد.اگرچه فرآیند ساخت ترانزیستور دقیق است، اما فرآیند ساده است، که منجر به بهبود تراکم نصب قطعات می شود.


  • قبلی:
  • بعد:

  • پیام خود را اینجا بنویسید و برای ما ارسال کنید