order_bg

محصولات

IRF7103TRPBF تراشه IC مدار مجتمع جدید و اصلی IRF7103TRPBF

توضیح کوتاه:


جزئیات محصول

برچسب های محصول

ویژگی های محصول

تایپ کنید شرح
دسته بندی محصولات نیمه هادی گسسته

ترانزیستورها - FET ها، ماسفت ها - آرایه ها

Mfr فن آوری های Infineon
سلسله HEXFET®
بسته نوار و حلقه (TR)

نوار برش (CT)

Digi-Reel®

وضعیت محصول فعال
نوع FET 2 کانال N (دوگانه)
ویژگی FET استاندارد
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) 50 ولت
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد 3A
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 130 میلی اهم @ 3 آمپر، 10 ولت
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 3 ولت @ 250 µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs 30nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 290pF @ 25V
قدرت - حداکثر 2W
دمای عملیاتی -55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ)
نوع نصب نصب سطحی
بسته / مورد 8-SOIC (0.154 اینچ، 3.90 میلی متر عرض)
بسته دستگاه تامین کننده 8-SO
شماره محصول پایه IRF7103

اسناد و رسانه ها

نوع منبع ارتباط دادن
برگه های اطلاعات IRF7103PbF
سایر اسناد مرتبط سیستم شماره گذاری قطعات IR
محصول ویژه سیستم های پردازش داده
صفحه داده HTML IRF7103PbF
مدل های EDA IRF7103TRPBF توسط Ultra Librarian

طبقه بندی محیطی و صادراتی

صفت شرح
وضعیت RoHS سازگار با ROHS3
سطح حساسیت به رطوبت (MSL) 1 (نامحدود)
وضعیت REACH REACH بدون تأثیر
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

منابع اضافی

صفت شرح
نامهای دیگر *IRF7103TRPBF

IRF7103PBFDKR

Q7499123

IRF7103PBFTR

SP001562004

IRF7103PBFCT

بسته استاندارد 4000

ترانزیستور یک وسیله نیمه هادی است که معمولاً در تقویت کننده ها یا کلیدهای کنترل الکترونیکی استفاده می شود.ترانزیستورها بلوک های ساختمانی اساسی هستند که عملکرد رایانه ها، تلفن های همراه و سایر مدارهای الکترونیکی مدرن را تنظیم می کنند.

ترانزیستورها به دلیل سرعت پاسخگویی سریع و دقت بالا می توانند برای طیف گسترده ای از توابع دیجیتال و آنالوگ از جمله تقویت، سوئیچینگ، تنظیم کننده ولتاژ، مدولاسیون سیگنال و نوسان ساز استفاده شوند.ترانزیستورها را می توان به صورت جداگانه یا در یک منطقه بسیار کوچک بسته بندی کرد که بتواند 100 میلیون ترانزیستور یا بیشتر را به عنوان بخشی از یک مدار مجتمع در خود جای دهد.

در مقایسه با لوله الکترونی، ترانزیستور مزایای زیادی دارد:

کامپوننت مصرفی ندارد

مهم نیست که لوله چقدر خوب باشد، به دلیل تغییر در اتم های کاتد و نشت مزمن هوا، به تدریج خراب می شود.به دلایل فنی، ترانزیستورها در ابتدای ساخت همین مشکل را داشتند.با پیشرفت در مواد و بهبود در بسیاری از جنبه ها، ترانزیستورها معمولاً 100 تا 1000 برابر بیشتر از لوله های الکترونیکی عمر می کنند.

مصرف برق خیلی کم

این تنها یک دهم یا ده ها یک لوله الکترونی است.برای تولید الکترون های آزاد مانند لوله الکترونی نیازی به گرم کردن رشته نیست.یک رادیو ترانزیستوری تنها به چند باتری خشک برای گوش دادن به مدت شش ماه در سال نیاز دارد که انجام این کار برای رادیو لوله ای دشوار است.

نیازی به گرم کردن نیست

به محض اینکه آن را روشن کردید کار کنید.به عنوان مثال، رادیو ترانزیستوری به محض روشن شدن خاموش می شود و تلویزیون ترانزیستوری به محض روشن شدن تصویری را تنظیم می کند.تجهیزات لوله خلاء نمی توانند این کار را انجام دهند.پس از بوت، کمی صبر کنید تا صدا را بشنوید، تصویر را ببینید.واضح است که در نظامی، اندازه گیری، ضبط و غیره، ترانزیستورها بسیار سودمند هستند.

قوی و قابل اعتماد

100 برابر قابل اعتماد تر از لوله الکترون، مقاومت در برابر ضربه، مقاومت در برابر لرزش، که با لوله الکترونی قابل مقایسه نیست.علاوه بر این، اندازه ترانزیستور تنها یک دهم تا یک صدم اندازه لوله الکترونی است، انتشار حرارت بسیار کمی است، می توان برای طراحی مدارهای کوچک، پیچیده و قابل اعتماد استفاده کرد.اگرچه فرآیند ساخت ترانزیستور دقیق است، اما فرآیند ساده است، که منجر به بهبود تراکم نصب قطعات می شود.


  • قبلی:
  • بعد:

  • پیام خود را اینجا بنویسید و برای ما ارسال کنید