IRF9540NSTRLPBF مدارهای مجتمع جدید و اصلی قطعات الکترونیکی
ویژگی های محصول
| تایپ کنید | شرح |
| دسته بندی | محصولات نیمه هادی گسسته |
| Mfr | فن آوری های Infineon |
| سلسله | HEXFET® |
| بسته | نوار و حلقه (TR) نوار برش (CT) Digi-Reel® |
| وضعیت محصول | فعال |
| نوع FET | کانال پی |
| فن آوری | ماسفت (اکسید فلز) |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 100 ولت |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد | 23A (Tc) |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 10 ولت |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 117 میلی اهم @ 14 آمپر، 10 ولت |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 4 ولت @ 250 µA |
| شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Vgs (حداکثر) | ± 20 ولت |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 1450 pF @ 25 V |
| ویژگی FET | - |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 3.1 وات (Ta)، 110 وات (Tc) |
| دمای عملیاتی | -55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ) |
| نوع نصب | نصب سطحی |
| بسته دستگاه تامین کننده | D2PAK |
| بسته / مورد | TO-263-3، D²Pak (2 سرنخ + برگه)، TO-263AB |
| شماره محصول پایه | IRF9540 |
اسناد و رسانه ها
| نوع منبع | ارتباط دادن |
| برگه های اطلاعات | IRF9540NS/L |
| سایر اسناد مرتبط | سیستم شماره گذاری قطعات IR |
| ماژول های آموزشی محصول | مدارهای مجتمع ولتاژ بالا (درایورهای گیت HVIC) |
| محصول ویژه | سیستم های پردازش داده |
| صفحه داده HTML | IRF9540NS/L |
| مدل های EDA | IRF9540NSTRLPBF توسط Ultra Librarian |
| مدل های شبیه سازی | مدل سابر IRF9540NL |
طبقه بندی محیطی و صادراتی
| صفت | شرح |
| وضعیت RoHS | سازگار با ROHS3 |
| سطح حساسیت به رطوبت (MSL) | 1 (نامحدود) |
| وضعیت REACH | REACH بدون تأثیر |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
IRF9540NS
-100 ولت ماسفت مادون قرمز تک کاناله P در پکیج D2-Pak
فواید
- ساختار سلول مسطح برای SOA گسترده
- بهینه شده برای دسترسی گسترده از شرکای توزیع
- صلاحیت محصول طبق استاندارد JEDEC
- سیلیکون برای برنامه هایی که کمتر از 100 کیلوهرتز تغییر می کنند بهینه شده است
- بسته برقی استاندارد صنعتی روی سطح
- بسته قابلیت حمل جریان بالا (تا 195 آمپر، وابسته به اندازه قالب)
- قابلیت لحیم کاری موجی
دستگاه نیمه هادی گسسته
نیمه هادی های مختلف به عنوان بخشی از مدارهای ضروری اغلب در یک آی سی فروخته می شوند.این مدارها عموماً می‌توانند عملکردها و ویژگی‌های پیوسته را در یک دستگاه داشته باشند و به طور قابل‌توجهی آنها را از نیمه‌رساناهای گسسته قابل توجه متمایز کنند.
اکثر نیمه هادی ها به عنوان بخشی ضروری از مدارها در دنیای امروز خریداری می شوند.با این حال، برای برخی از کاربردها، یک نیمه هادی گسسته بهترین راه حل ها را برای نیازهای مهندسی ارائه می دهد.بنابراین، آنها همچنین نقش حیاتی در قطعات الکترونیکی در بازار دارند.بله، چیزی که شنیدید درست است!
نمونه های اولیه تریستورها، ترانزیستورها، یکسو کننده ها، دیودها و بسیاری از نسخه های این دستگاه های کارآمد هستند.ساختارهای دیگر نیمه هادی ها با پیچیدگی فیزیکی مدارهای مجتمع، اما عملکردهای الکترونیکی مانند ترانزیستورهای دارلینگتون را معمولاً ماشین های نیمه هادی گسسته در نظر می گیرند.
دستگاه نیمه هادی گسسته |مزایای سطح بالا
مزایای بسیار درجه یک دستگاه های نیمه هادی گسسته فوق العاده سرد وجود دارد.برخی از آنها به شرح زیر است:
- تمام دستگاه های نیمه هادی گسسته بسیار فشرده و سبک هستند.
- آنها به دلیل مصرف برق کم و اندازه مناسب بسیار قابل اعتماد هستند.
- آنها را می توان به راحتی جایگزین کرد.با این حال، جایگزینی آنها به دلیل عدم وجود ظرفیت خازنی و اثر انگلی کمی سخت است.
- تفاوت دمایی جزئی بین اجزای مدار آن وجود دارد.
- برای بسیاری از عملیات های سیگنال کوچک مناسب است.
- این دستگاه ها به دلیل اندازه بسیار فشرده و مناسب، مصرف برق را کاهش می دهند.
یک نیمه هادی گسسته عملکردهای فوق العاده ای را انجام می دهد که نمی توان آنها را به قسمت های دیگر تقسیم کرد.به عنوان مثال، یک آی سی ممکن است یک دیود، یک ترانزیستور و سایر اجزای ضروری داشته باشد که به راحتی می توانند وظایف مختلف را به طور مستقل انجام دهند.آنها همچنین می توانند در ارتباط با مدار برجسته کار کنند و عملکردهای زیادی را انجام دهند.
برعکس، نیمه هادی گسسته می تواند یک عملکرد واحد را انجام دهد.به عنوان مثال، یک ترانزیستور همیشه یک ترانزیستور نمونه است و می تواند عملکرد خود را فقط با ترانزیستور انجام دهد.
این مقاله حاوی تمام اطلاعات ضروری، از جمله مزایا، معایب، و مثال‌های درجه یک است - تا بتوانید با دستگاه‌های نیمه‌رسانای گسسته کاملاً آشنا شوید.
