IRLML6402TRPBF تراشه یکپارچه مدار مجتمع جدید و اصلی IRLML6402TRPBF
ویژگی های محصول
| تایپ کنید | شرح |
| دسته بندی | محصولات نیمه هادی گسسته |
| Mfr | فن آوری های Infineon |
| سلسله | HEXFET® |
| بسته | نوار و حلقه (TR) نوار برش (CT) Digi-Reel® |
| وضعیت محصول | فعال |
| نوع FET | کانال پی |
| فن آوری | ماسفت (اکسید فلز) |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 20 ولت |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد | 3.7A (Ta) |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 2.5 ولت، 4.5 ولت |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 65 میلی اهم @ 3.7 آمپر، 4.5 ولت |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 1.2 ولت @ 250 µA |
| شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 12 nC @ 5 ولت |
| Vgs (حداکثر) | ± 12 ولت |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 633 pF @ 10 V |
| ویژگی FET | - |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 1.3 وات (Ta) |
| دمای عملیاتی | -55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ) |
| نوع نصب | نصب سطحی |
| بسته دستگاه تامین کننده | Micro3™/SOT-23 |
| بسته / مورد | TO-236-3، SC-59، SOT-23-3 |
| شماره محصول پایه | IRLML6402 |
اسناد و رسانه ها
| نوع منبع | ارتباط دادن |
| برگه های اطلاعات | IRLML6402PbF |
| سایر اسناد مرتبط | راهنمای شماره قطعه |
| ماژول های آموزشی محصول | مدارهای مجتمع ولتاژ بالا (درایورهای گیت HVIC) |
| منابع طراحی | مدل سابر IRLML6402TR |
| محصول ویژه | سیستم های پردازش داده |
| صفحه داده HTML | IRLML6402PbF |
| مدل های EDA | IRLML6402TRPBF توسط Ultra Librarian |
| مدل های شبیه سازی | مدل ادویه IRLML6402TR |
طبقه بندی محیطی و صادراتی
| صفت | شرح |
| وضعیت RoHS | سازگار با ROHS3 |
| سطح حساسیت به رطوبت (MSL) | 1 (نامحدود) |
| وضعیت REACH | REACH بدون تأثیر |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
منابع اضافی
| صفت | شرح |
| نامهای دیگر | 2832-IRLML6402TRPBF-TR *IRLML6402TRPBF IRLML6402PBFCT IRLML6402PBFDKR IRLML6402PBFTR SP001552740 |
| بسته استاندارد | 3000 |
ترانزیستور یک وسیله نیمه هادی است که معمولاً در تقویت کننده ها یا کلیدهای کنترل الکترونیکی استفاده می شود.ترانزیستورها بلوک های ساختمانی اساسی هستند که عملکرد رایانه ها، تلفن های همراه و سایر مدارهای الکترونیکی مدرن را تنظیم می کنند.
ترانزیستورها به دلیل سرعت پاسخگویی سریع و دقت بالا می توانند برای طیف گسترده ای از توابع دیجیتال و آنالوگ از جمله تقویت، سوئیچینگ، تنظیم کننده ولتاژ، مدولاسیون سیگنال و نوسان ساز استفاده شوند.ترانزیستورها را می توان به صورت جداگانه یا در یک منطقه بسیار کوچک بسته بندی کرد که بتواند 100 میلیون ترانزیستور یا بیشتر را به عنوان بخشی از یک مدار مجتمع در خود جای دهد.
در مقایسه با لوله الکترونی، ترانزیستور مزایای زیادی دارد:
1.کامپوننت مصرفی ندارد
مهم نیست که لوله چقدر خوب باشد، به دلیل تغییر در اتم های کاتد و نشت مزمن هوا، به تدریج خراب می شود.به دلایل فنی، ترانزیستورها در ابتدای ساخت همین مشکل را داشتند.با پیشرفت در مواد و بهبود در بسیاری از جنبه ها، ترانزیستورها معمولاً 100 تا 1000 برابر بیشتر از لوله های الکترونیکی عمر می کنند.
2. مصرف برق بسیار کم
این تنها یک دهم یا ده ها یک لوله الکترونی است.برای تولید الکترون های آزاد مانند لوله الکترونی نیازی به گرم کردن رشته نیست.یک رادیو ترانزیستوری تنها به چند باتری خشک برای گوش دادن به مدت شش ماه در سال نیاز دارد که انجام این کار برای رادیو لوله ای دشوار است.
3-نیازی به گرم کردن نیست
به محض اینکه آن را روشن کردید کار کنید.به عنوان مثال، رادیو ترانزیستوری به محض روشن شدن خاموش می شود و تلویزیون ترانزیستوری به محض روشن شدن تصویری را تنظیم می کند.تجهیزات لوله خلاء نمی توانند این کار را انجام دهند.پس از بوت، کمی صبر کنید تا صدا را بشنوید، تصویر را ببینید.واضح است که در نظامی، اندازه گیری، ضبط و غیره، ترانزیستورها بسیار سودمند هستند.
4. قوی و قابل اعتماد
100 برابر قابل اعتماد تر از لوله الکترون، مقاومت در برابر ضربه، مقاومت در برابر لرزش، که با لوله الکترونی قابل مقایسه نیست.علاوه بر این، اندازه ترانزیستور تنها یک دهم تا یک صدم اندازه لوله الکترونی است، انتشار حرارت بسیار کمی است، می توان برای طراحی مدارهای کوچک، پیچیده و قابل اعتماد استفاده کرد.اگرچه فرآیند ساخت ترانزیستور دقیق است، اما فرآیند ساده است، که منجر به بهبود تراکم نصب قطعات می شود.
