مدار مجتمع جدید LM25118Q1MH/NOPB IC REG CTRLR BUCK 20TSSOP Ic Chip LM25118Q1MH/NOPB
ویژگی های محصول
| تایپ کنید | شرح |
| دسته بندی | مدارهای مجتمع (IC) |
| Mfr | تگزاس اینسترومنتز |
| سلسله | خودرو، AEC-Q100 |
| بسته | لوله |
| SPQ | 73 تیube |
| وضعیت محصول | فعال |
| نوع خروجی | درایور ترانزیستور |
| تابع | پله بالا، گام به پایین |
| پیکربندی خروجی | مثبت |
| توپولوژی | باک، بوست |
| تعداد خروجی ها | 1 |
| فازهای خروجی | 1 |
| ولتاژ - منبع تغذیه (Vcc/Vdd) | 3 ولت ~ 42 ولت |
| فرکانس - سوئیچینگ | تا 500 کیلوهرتز |
| چرخه وظیفه (حداکثر) | 75% |
| یکسو کننده سنکرون | No |
| همگام سازی ساعت | آره |
| رابط های سریال | - |
| ویژگی های کنترل | فعال کردن، کنترل فرکانس، رمپ، شروع نرم |
| دمای عملیاتی | -40 درجه سانتی گراد ~ 125 درجه سانتی گراد (TJ) |
| نوع نصب | نصب سطحی |
| بسته / مورد | 20-PowerTSSOP (عرض 0.173 اینچ 4.40 میلی متر) |
| بسته دستگاه تامین کننده | 20-HTSOP |
| شماره محصول پایه | LM25118 |
1. کمانش همزمان
مزایای.
راندمان بالا: مقاومت داخلی لوله mos بسیار کوچک است و افت ولتاژ در حالت بسیار کوچکتر از افت ولتاژ Cosmos جلو دیود شاتکی است.
معایب.
پایداری ناکافی: نیاز به طراحی مدار درایو، و اجتناب از روشن شدن همزمان لوله بالا و پایین، مدار پیچیده تر است و در نتیجه پایداری کافی ندارد.
2. دلار غیر همزمان
مزایای.
راندمان پایین: افت ولتاژ دیود شاتکی نسبت به برق مصرفی تولید شده توسط لوله mos زیاد است.
معایب.
پایداری بالا: هیچ هدایت همزمان لوله های بالایی و پایینی وجود نخواهد داشت.
1: PFM (روش مدولاسیون فرکانس پالس)
سوئیچینگ عرض پالس قطعی است، با تغییر فرکانس خروجی پالس، ولتاژ خروجی تثبیت می شود.از نوع کنترلی مزیت مصرف کم توان را حتی در صورت استفاده طولانی مدت به خصوص در بارهای کوچک دارد.
2: PWM (مدولاسیون عرض پالس)
نوع کنترل PWM بسیار کارآمد است و دارای ریپل ولتاژ خروجی و نویز خوبی است.
به طور خلاصه، تفاوت عملکرد مبدل های DC-DC با دو روش مدولاسیون مختلف PFM و PWM به شرح زیر است.
فرکانس PWM، روش انتخاب چرخه وظیفه PFM.نوع تبدیل PWM/PFM کنترل PFM در بارهای کوچک و سوئیچ اتوماتیک به کنترل PWM در بارهای سنگین.
3.
تفاوت بین آی سی های تقویت کننده سنکرون و آی سی های تقویت کننده ناهمزمان چیست؟
تفاوت اصلی بین آی سی های تقویت کننده سنکرون و بوست های ناهمزمان، تفاوت در روش های اصلاح است.
مدار آی سی تقویت سنکرون از MOS استفاده می کند زیرا لوله های MOS مقاومت داخلی بسیار پایینی در حالت باز دارند و تلفات در فرآیند یکسوسازی بسیار کم است، بنابراین راندمان تقویت سنکرون بالا و تولید گرما کم است.می توان از آن برای برنامه های تقویت قدرت بالا استفاده کرد.
مدارهای آی سی تقویت ناهمزمان از دیودها برای یکسوسازی استفاده می کنند.دیودها در فرآیند یکسوسازی دارای افت ولتاژ اتصال هستند.هر چه جریان در فرآیند یکسوسازی بیشتر باشد، تلفات بیشتر خواهد بود.معمولاً قدرت نمی تواند قدرت بالایی داشته باشد.
