order_bg

محصولات

اصلی جدید موجود در انبار ماسفت ترانزیستور دیود تریستور SOT-223 BSP125H6327 تراشه الکترونیکی IC

توضیح کوتاه:


جزئیات محصول

برچسب های محصول

ویژگی های محصول

تایپ کنید شرح
دسته بندی محصولات نیمه هادی گسسته

ترانزیستور - FET، ماسفت - تک

Mfr فن آوری های Infineon
سلسله SIPMOS®
بسته نوار و حلقه (TR)

نوار برش (CT)

Digi-Reel®

وضعیت محصول فعال
نوع FET کانال N
فن آوری ماسفت (اکسید فلز)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) 600 V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد 120 میلی آمپر (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) 4.5 ولت، 10 ولت
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 45 اهم @ 120 میلی آمپر، 10 ولت
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 2.3 ولت @ 94 µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs 6.6 nC @ 10 ولت
Vgs (حداکثر) ± 20 ولت
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 150 pF @ 25 V
ویژگی FET -
اتلاف نیرو (حداکثر) 1.8 وات (Ta)
دمای عملیاتی -55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ)
نوع نصب نصب سطحی
بسته دستگاه تامین کننده PG-SOT223-4
بسته / مورد TO-261-4، TO-261AA
شماره محصول پایه BSP125

اسناد و رسانه ها

نوع منبع ارتباط دادن
برگه های اطلاعات BSP125
سایر اسناد مرتبط راهنمای شماره قطعه
محصول ویژه سیستم های پردازش داده
صفحه داده HTML BSP125
مدل های شبیه سازی مدل ادویه N-Channel MOSFET OptiMOS™ 240 ولت، 400 ولت، 600 ولت و 800 ولت

طبقه بندی محیطی و صادراتی

صفت شرح
وضعیت RoHS سازگار با ROHS3
سطح حساسیت به رطوبت (MSL) 1 (نامحدود)
وضعیت REACH REACH بدون تأثیر
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

منابع اضافی

صفت شرح
نامهای دیگر SP001058576

BSP125H6327XTSA1TR

BSP125H6327XTSA1CT

BSP125H6327XTSA1DKR

بسته استاندارد 1000

ترانزیستور یک وسیله نیمه هادی است که معمولاً در تقویت کننده ها یا کلیدهای کنترل الکترونیکی استفاده می شود.ترانزیستورها بلوک های ساختمانی اساسی هستند که عملکرد رایانه ها، تلفن های همراه و سایر مدارهای الکترونیکی مدرن را تنظیم می کنند.

ترانزیستورها به دلیل سرعت پاسخگویی سریع و دقت بالا می توانند برای طیف گسترده ای از توابع دیجیتال و آنالوگ از جمله تقویت، سوئیچینگ، تنظیم کننده ولتاژ، مدولاسیون سیگنال و نوسان ساز استفاده شوند.ترانزیستورها را می توان به صورت جداگانه یا در یک منطقه بسیار کوچک بسته بندی کرد که بتواند 100 میلیون ترانزیستور یا بیشتر را به عنوان بخشی از یک مدار مجتمع در خود جای دهد.

در مقایسه با لوله الکترونی، ترانزیستور مزایای زیادی دارد:

1.کامپوننت مصرفی ندارد

مهم نیست که لوله چقدر خوب باشد، به دلیل تغییر در اتم های کاتد و نشت مزمن هوا، به تدریج خراب می شود.به دلایل فنی، ترانزیستورها در ابتدای ساخت همین مشکل را داشتند.با پیشرفت در مواد و بهبود در بسیاری از جنبه ها، ترانزیستورها معمولاً 100 تا 1000 برابر بیشتر از لوله های الکترونیکی عمر می کنند.

2. مصرف برق بسیار کم

این تنها یک دهم یا ده ها یک لوله الکترونی است.برای تولید الکترون های آزاد مانند لوله الکترونی نیازی به گرم کردن رشته نیست.یک رادیو ترانزیستوری تنها به چند باتری خشک برای گوش دادن به مدت شش ماه در سال نیاز دارد که انجام این کار برای رادیو لوله ای دشوار است.

3-نیازی به گرم کردن نیست

به محض اینکه آن را روشن کردید کار کنید.به عنوان مثال، رادیو ترانزیستوری به محض روشن شدن خاموش می شود و تلویزیون ترانزیستوری به محض روشن شدن تصویری را تنظیم می کند.تجهیزات لوله خلاء نمی توانند این کار را انجام دهند.پس از بوت، کمی صبر کنید تا صدا را بشنوید، تصویر را ببینید.واضح است که در نظامی، اندازه گیری، ضبط و غیره، ترانزیستورها بسیار سودمند هستند.

4. قوی و قابل اعتماد

100 برابر قابل اعتماد تر از لوله الکترون، مقاومت در برابر ضربه، مقاومت در برابر لرزش، که با لوله الکترونی قابل مقایسه نیست.علاوه بر این، اندازه ترانزیستور تنها یک دهم تا یک صدم اندازه لوله الکترونی است، انتشار حرارت بسیار کمی است، می توان برای طراحی مدارهای کوچک، پیچیده و قابل اعتماد استفاده کرد.اگرچه فرآیند ساخت ترانزیستور دقیق است، اما فرآیند ساده است، که منجر به بهبود تراکم نصب قطعات می شود.


  • قبلی:
  • بعد:

  • پیام خود را اینجا بنویسید و برای ما ارسال کنید